BS170 MOSFET a canale N TO-92

Il BS170 è un MOSFET a canale N, racchiuso in un compatto contenitore TO-92. Questo tipo di MOSFET è ideale per l'uso in circuiti a bassa tensione e corrente, come i piccoli transistor di segnale.

Specifiche principali:

• Tensione Drain-Source (Vds): 60V
• Tensione Gate-Source (Vgs): ±20V (continua), ±40V (non ripetitiva)
• Corrente di drain (Id): 0.5A
• Dissipazione totale di potenza: 350 mW a 25°C
• Temperatura di esercizio: da -55°C a +150°C
• Tensione di soglia del gate (Vgs(Th)): da 0.8V a 3.0V
• Resistenza on (Rds(on)): Massimo 5 Ω a Vgs = 10V
• Tempi di commutazione: tempo di accensione e spegnimento di 4-10 nanosecondi

Il BS170 offre prestazioni eccellenti nelle applicazioni di commutazione rapida grazie ai bassi tempi di commutazione ed è adatto all'uso, tra l'altro, in piccoli regolatori di potenza e amplificatori di segnale.